国家革成文献链接：InsituRamanspectroscopicevidenceforoxygenreductionreactionintermediatesatplatinumsingle-crystalsurfaces（NatureEnergy,2018,DOI:10.1038/s41560-018-0292-z）。

然而，发改目前仅在高磁场的量子霍尔体系中证明了边缘通道。大亮点体表明这种转变是传统绝缘相和具有单一螺旋边缘状态的QSH效应相的拓扑量子相变。

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在存在应变梯度的情况下，国家革成通过常规半导体中的自旋轨道耦合产生简并量子朗道能级。发改边缘通道传输为新一代自旋电子设备的低功耗信息处理铺平了道路。

大亮点体这种新的物质状态具有拓扑场理论描述的许多深刻的相关性质。

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